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计增决胜原位调查试验标明,当温度低于175◦C时,IMC成长速度相对缓慢;当温度高于175◦C时,IMC成长速度较快。力气准确的Cu/AlIMC成长公式,对准确地猜测Cu/Al引线键合的可靠性具有重大意义,对Cu/Al引线键合产品的正确运用环境供给了辅导,乃至对芯片规划中散热规范提出了辅导。

强决图3(a)Cu/Al引线键合界面退火前颗粒状IMC描摹的TEM图(标尺=20nm);(b)为(a)所示区域A中IMC的HRTEM像(标尺=10nm);(c)为(b)所示IMC的FFT图,经标定得出为Cu9Al4图3所示的是退火前Cu/Al引线键合界面的IMC相剖析。计增决胜如上所述,因为键合工艺的差错和Cu/AlIMC不同部位成长的非均匀性,选用非原位研讨办法,需求在一批样品热处理后再别离进行制样观测。力气因此,原位透射电子显微技能是研讨Cu/Al引线键合界面在多种处理环境中结构演化进程和机理的先进办法。

强决图5(a)Cu/AlIMC厚度与退火时刻的联系;(b)Cu/AlIMC厚度对退火时刻的平方根的联系关于图5(b)中的拟合直线,其斜率便是K1/2的值,能够得到三种不同温度下K1/2的值,然后能够得到不同退火温度下IMC的反响速率如表2所示。二、计增决胜试验如图1(a)所示,直径为22µm的纯Cu线热超声键合到1.5µm厚的Al金属盘,键合压力为25—35gf,超声功率为120—150mW,键合温度为180◦C,键合后进行塑封。

力气在芯片封装流程中,引线键合后需求进行环氧树脂塑封,这种后成型封装一般需求在175—200◦C温度下退火4—8h。

铜线键合IMC成长剖析铜引线键合因为在价格、强决电导率和热导率等方面的优势有望替代传统的金引线键合,可是Cu/Al引线键合界面的金属间化合物(intermetalliccompounds,IMC)的过量成长将增大触摸电阻和下降键合强度,然后影响器材的功能和可靠性。而猜想在这种离散化情况下，计增决胜这些管子的并集U𝑇∊𝕋𝑇的体积应该大约为1。

他们先定义了一种情况K(d)，力气目标是通过数学推导，力气证明对于处于一定范围的维度参数d，存在一种能从K(d)推导出K(d+𝛼)的关系，其中𝛼是一个大于0且和d有关的数。早期研究中，强决人们陆续证明了d=1（仅考虑单管）、d=2（结合L2论证与线相交性质）、d=2.5（1995年Wolff梳子论证）的情况。

当这两个维度均为3，计增决胜从数学的角度来看，这些集合在几何上与整个三维空间相同，它们在某种意义上填满了空间的大部分。另外，力气在处理非粘性情况时，他们引入了粒状化（graininess）理论，这是对集合内部结构的一种描述，它可以帮助理解集合如何在不同尺度上组织。

(责任编辑：马德钟)